|
1. 기초이론
(1) 트랜지스터
쌍극성 접합 트랜지스터는 우리가 보통 트랜지스터라고 말하는 소자로 p형 반도체와 n형 반도
체 세 개를 교대로 접목시킨 구조로 NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터가 있다. (이를 BJT라고
한다.)
(2) NPN트랜지스터
n
|
|
|
NPN트랜지스터의 실험
이 실험은 PNP 트랜지스터 2N3906으로 실험하던 실험1의 회로에서 트랜지스터 소자를 2N3904로 교체를 한후 처음 실험과 동일한 방법으로 실험을 하였다. 실험 방법중에 다른 점이 있다면 바이어스 극성을 맞추어 주는 것이
|
|
|
사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
E1.2 접합 관리와 접합 전류 확인
E2.1 베이스-전류 바이어스
E2.2 베이스-에미터 고정전압 바이어싱
• 증폭기로서의 BJT
E3.1 전압 이득과 입력 저항
5. 고찰
|
|
|
같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
|
|
|
순방향 바이어스, 켈렉터-베이스 사이 접합은 VCC에 의해 역방향 바이어스를 걸어 주어야 한다.
* BJT의 원리 - NPN 트랜지스터
- 무겁게 도핑된 n형 이미터 영역은 그림에 나타낸 것처럼 매우 조밀한 전도 대역의 자유전자를 갖는다. 이러한 자유
|
|
메뉴펼치기
