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플라즈마-미립자간의 상호작용에 의한 RF 방전특성의 변화.
IV. 방전 후의 미립자 운동양식의 관측.
V. CF4/H2 플라즈마를 이용한 RIE(Reactive Ion Etching) 공정에서의 미립자 발생에 미치는 공정 변수의 영향과 RF on-off 변조(modulation)의 영향.
V
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Dry etcher의 분류
플라즈마 식각 장치
반응성 이온 식각 장치
(Reactive ion etching, RIE)
이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법
Dry etching의 개요, 분류
Plasma etching, Ion beam milling
Reactive ion etching
공정 변수에 따른 식각
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Dry Etching
GAS를 공급해 반응을 일으켜서 증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법.
Dry Etching
ⅰ) Plasma Etching → chemical
［플라즈마가 채워진 공간에 기판을 담그는 방식］
ⅱ) Sputter Etch
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Dry etching 이란?
일반적으로 플라즈마와 같이 gas를 이용하거나, 이온주입이나 sputtering등과 같이 이온이나 전자를 이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching)&
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Etching
Etching은 PR에 의해서 patterning 된 표면의 SiO2를 제거하는 과정이다. Etching process에는 용액을 사용하는 Wet etching과 plasma를 사용하는 Dry etching으로 나눌 수 있다. 그리고 이번 실험에서 우리는 Wet etching process를 사용하기로 한다.
여기 etching에
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plasma etching등 반도체 제조장비에서 에러가 적어 글로벌 회사와 일을 하고 있다고 들어 지원하게 되었습니다.
반도체가 미세화 되면서 높은 aspect ratio의 구현이 요구되고 있습니다. 전공정 수업에서 NAND 및 GAA-FET의 3d 구조를 배우면서 각층의
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첫째 저는 반도체 및LED 공정에 대한 이해도가 높습니다.
② Cleaning/Dry Etching 단위 공정 Engineer로써 단위 공정 Set up
및 공정불량 개선(SEM/FIB이용) , CI , 신규공법 적용 및 Max. Capa.활동
둘째 저는 반도체/LED 신규 장비에 대한 공정 Set up 경험
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to Unit Process and development of Cleaning/Dry Etching Process
Forth, recently I finished 3D Products Modeling in Korea machinery industry Promotion Association institute about 4.5month. 1.PERSONAL DATA
2. EDUCATION:
3. EXPERIENCE
4. Career
5. Job ability Summary
6. Detailed Career Sum
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Dry Etch, Wet Etch, Strip 및 검사공정등의 TFT 공정뿐만 아니라 배향, Rubbing, Valc, CPS, 식각등의 Cell 후공정 등 LCD 전반의 지식을 갖고 있습니다. 또한 수율을 Care하기 위해서는 품질 Mind는 필수입니다. 신뢰성과 연관되는 품질문제에 대한 Risk 사항을
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