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Si> <Ge>
Si와 Ge는 각각의 동작전압이 있다. 이론에 따르면 Si와 Ge의 동작 전압은 각각 0.7V, 0.3V이다. 이 각각의 동작전압만큼 Si, Ge의 출력파형은 입력파형에 비해 손실이 크게 생긴다.
실험결과에서는 이론에서 예상한 0.7V, 0.3V와 같은 수
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, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
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⑦ 표 11-1의 측정값을 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 전류특성 곡선을 그린다.
3. 실험 장비
전압계
브레드 보드
4. 실험 결과 및 고찰
실험 결과
전류
입력전압
Ge Diode
Si Diode
순방향[]
역방향[]
순방향[]
역방향[]
1V
0.8 mA
0 mA
0.5 mA
0 mA
2V
2
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Ge diode], 1N914 [Si diode])
Multimeter (2 개)
4. 실험 방법
(1) 다이오우드의 순방향 전류-전압 특성
1) 그림 6의 회로를 만들되, Si 다이오우드를 사용하시오. 다이오우드에서 띠가 둘려 있는 쪽이 음극입니다.
2) Vf를 변화시키며 If의 값을 관측하다가, If
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Diode)
- Laser 다이오드 (Laser Diodes)
- 정전류 다이오드(Current Regulator Diode)
- PIN 다이오드 (PIN Diode)
- 터널 다이오드 (Tunnel Diode : Esaki Diode)
4. 다이오드 특성 곡선
- DC측정법에 의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다
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GE 등의 세계적으로 유명한 조명 기기 회사들이 앞 다투어서 반도체 조명 연구를 시작하고 있다. 다행히도 우리나라에서도 작년부터 산자부 지원으로 미약하나마 GaN를 이용한 백색LED 램프 개발이 본격적으로 이루어지고 있다. 그러나 근본적
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