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MOS structure
1.2 Effect of an applied bias
1.3 Capacitance-voltage characteristics
1.3.1 Qualitative theory
1.3.2 C-V curve에 영향을 미치는 인자들
1.3.3 Deep depletion
2. Non-ideal MOS capacitors
2.1 Metal-semiconductor workfunction difference
2.2 Oxide charge
2.2.1 General i
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C-V Introduction
Ideal MOS Capacitor
구조
특징
Gate는 두꺼워서 언제나 등전위 영역
Oxide는 perfect Insulator
Oxide 내에서나 S/C-Oxide 계면에서 charge center 없다.
S/C는 uniform doping
S/C는 충분히 두꺼워서 gate potential을 가하든지 아니든지
bulk는 field-f
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MOS)형, 전하 결합 소자(CCD)형 등이 있다. 고체 촬상 소자의 대부분은 CCD형으로, 이것은 광다이오드를 이용한 반도체이다.
MOS : Metal Oxide Semiconductor
CCD : Charge Coupled Device
광가입자망(FTTH : Fider To The Home)
모든 가장에까지 광케이블을 연결해 방송
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MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor FET, 금속 산화막 반도체 FET)
(1) 기본구조
(2) 동작원리
① VGS < Vth (Cut-off or sub-threshold )일때
② VGS > Vth 및 VDS < VGS - Vth (Triode or linear region )일때
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
④ 전압을 가하는 법과 흐르는
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MOS capacitor의 Oxide층과 전류의 주파수를 변수로 하여 가해준 V에 따른 Capacitance, 누설전류값을 측정하고 분석하는 실험을 진행하였다. 우리조는 두께가 두꺼워질수록 Capacitance와 누설전류값이 모두 감소할 것이라고 예상했다. 예상대로 Capacitanc
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