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2. 실험 절차
1)문턱 전압 Si, Ge 다이오드에 대해서 DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사 능력을 이용하여 문턱전압을 측정하라. 실험에서 구한 “문턱전압”은 다이오드에 대해 등가의 특성을 세울 수 있다. 각 다이오드에 대한 구해진 의
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경우 V>0이 되어 V값이 커짐에 따라 많은 전 류가 흐른다. 또한 역방향바이어스의 경우 V<0 이므로 I= -Io로써 Io의 값은 매우 작으며 I는 V값에 무관해 진다.
Si 및 Ge 다이오드의 전압-전류 특성은 아래와 같다.
위의 식에서 역포화전류 Io는 온
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류가 흐르게 된다. 그렇지만 순방향 바이어스 일때 ON 상태가 되기 위해서는 다이오드에 각각의 Cut In 전압(Si : 0.7V) 이상이 공급되어야만 한다. 다이오드의 전류-전압 곡선을 보면 실리콘인 경우 0.7V이상부터 전류가 급격하게 증가하는데 이것
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Diode)
- Laser 다이오드 (Laser Diodes)
- 정전류 다이오드(Current Regulator Diode)
- PIN 다이오드 (PIN Diode)
- 터널 다이오드 (Tunnel Diode : Esaki Diode)
4. 다이오드 특성 곡선
- DC측정법에 의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다
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의 곡선을 사용한 =9mA에서 Si 다이오드의 AC 저항 측정하라.
(계산치)rd = 0.074Ω
b. Si 다이오드에서 식를 이용하여 =9mA에서 AC 저항 결정하라.
(계산치)rd = 2.2mΩ
c. Si 다이오드에서 서 =2mA로 순서 a.를 반복하라.
(계산치)rd = 295Ω
d. Si 다이오드에서
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