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Si> <Ge>
Si와 Ge는 각각의 동작전압이 있다. 이론에 따르면 Si와 Ge의 동작 전압은 각각 0.7V, 0.3V이다. 이 각각의 동작전압만큼 Si, Ge의 출력파형은 입력파형에 비해 손실이 크게 생긴다.
실험결과에서는 이론에서 예상한 0.7V, 0.3V와 같은 수
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다이오드의 특성변화였지만 온도뿐만 아니라 빛에 대한 영향도 볼 수 있었다. 실험을 할 때 빛을 차단하는 것과 차단하지 않을 때 전류 특성이 달라지는 것을 볼 수 있었다. 1. 실험 목표
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
2.2. InGaAs DIODE
3. Simulati
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하는데 도움이 될 것이다.
SLS 기술은 마스크에 레이저를 쏘아 기판의 a-Si을 Poly-Si으로 만드는 방법이다. 레이저의 집중성 때문에 너무나도 작은 면적에 레이저가 집중되어 불균일한 Poly-Si 층이 형성되기 쉽다. 그러한 문제의 해법으로 레이저
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다이오드를 제작할 수 있을 것입니다. 1.서론
⑴ Ideal MOS diode 의 조건 및 Energy band diagram
⑵ 일반적인 MOS diode 의 제작 공정
⑶ Metal 종류의 선택과 선택 이유
2. 본론
⑷ Doping 농도의 계산 과정 (Dopant 는 상온에서 completely ionize 된다
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, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
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