목차
1. TFT 공정 Process
2. CF 공정 Process
3. Cell 공정 Process
2. CF 공정 Process
3. Cell 공정 Process
본문내용
2) Gate Sputtering : Gate 증착 前 DI를 이용하여 세정 진행한 後 Sputtering 장비에서 GLS를 90˚ 세워서 상온,상압에서 Target을 이용하여 GLS 증착 전면을 Metal로 증착함 (Gate Metal : Bottom Moti + Cu, Pure Al + Top Moti, AlNd etc…)
LGD의 경우 응답속도 상향을 위해 비저항이 낮은 Cu를 Main Metal로 전환
Cu : 하부에 Bottom Moti를 300Å 정도 先증착하는 이유는 GLS와의 Adhesion을 높이기 위해서임
(GLS와 Cu와의 접촉 時 Adhesion 약화로 Cu Metal이 GLS에서 떨어져 나가는 경우 발생)
Pure Al : 상부에 Top Moti를 100Å 정도 後 증착하는 이유는 Pure Al의 경우 결정의 성장에 의한 Hillock 발생을 방지하기 위해서임 (Hillock이란 Al Metal이 Chemical 반응에 의해서 알갱이성으로 성장하는 것인데 이것이 원인이 되어 GDS, PD(Point Defect), 얼룩의 원인이 됨)
LGD의 경우 응답속도 상향을 위해 비저항이 낮은 Cu를 Main Metal로 전환
Cu : 하부에 Bottom Moti를 300Å 정도 先증착하는 이유는 GLS와의 Adhesion을 높이기 위해서임
(GLS와 Cu와의 접촉 時 Adhesion 약화로 Cu Metal이 GLS에서 떨어져 나가는 경우 발생)
Pure Al : 상부에 Top Moti를 100Å 정도 後 증착하는 이유는 Pure Al의 경우 결정의 성장에 의한 Hillock 발생을 방지하기 위해서임 (Hillock이란 Al Metal이 Chemical 반응에 의해서 알갱이성으로 성장하는 것인데 이것이 원인이 되어 GDS, PD(Point Defect), 얼룩의 원인이 됨)
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