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물리전자공학 기말고사 solution
문제1) 서로 다른 3개의 반도체 (Ge, Si, GaAs) 에 대하여 온도에 따른 majority carrier 농도 를 측정한 결과가 아래와 같다. 여기서 A, B, C 가 어떤 반도체인지 근거를 제시하여 설명하라. (Ge, Si, GaAs 의 Eg 값은 0.67 eV, 1.12 eV, 1.42 eV 이다)
Solution: 온도가 매우 높을 때 (그래프에서 가장 왼쪽 구간), 반도체 내의 majority carrier 의 대부분은 intrinsic carrier 가 된다.
문제1) 서로 다른 3개의 반도체 (Ge, Si, GaAs) 에 대하여 온도에 따른 majority carrier 농도 를 측정한 결과가 아래와 같다. 여기서 A, B, C 가 어떤 반도체인지 근거를 제시하여 설명하라. (Ge, Si, GaAs 의 Eg 값은 0.67 eV, 1.12 eV, 1.42 eV 이다)
Solution: 온도가 매우 높을 때 (그래프에서 가장 왼쪽 구간), 반도체 내의 majority carrier 의 대부분은 intrinsic carrier 가 된다.
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