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물리전자공학 기말고사 solution
문제1) 서로 다른 3개의 반도체 (Ge, Si, GaAs) 에 대하여 온도에 따른 majority carrier 농도 를 측정한 결과가 아래와 같다. 여기서 A, B, C 가 어떤 반도체인지 근거를 제시하여 설명하라. (Ge, Si, GaAs 의 Eg 값은 0.67
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전자물리학실험을 수행할 수 있는 ‘나’를 만들어야겠다. 1. 실험 목표
2. 실험 배경 요약(교재와 참고문헌 활용)
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험 과정 및 실험 구성도 요약
5. 실험 및 결과 분석, 검토, 결론.
6. 실험 목표에 대한 자기평가
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공학회
▷ 백영현(1974), AgI 결정면에 물의 흡착에 관한 이론적 고찰, 한국표면공학회
▷ 박노길 외 3명(1993), 산소 흡착에 의한 텅스텐 결정면의 일함수 변화, 한국진공학회
▷ 박용수(2005), 물리전자공학기초, 내하출판사
▷ 장광균 외 4명(1993),
결정면 구면투영, 바이스계수 지수, [결정면, 바이스계수, 구면투영, 지수, 스트레오투영, 반도체공학, 반도체, 텅스텐 결정면, 텅스텐, 스테,
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1.실험제목 : 전자공학센서 활용 및 실험 데이터 분석
5.실험목표
6.실험 배경 요약
7.실험 장비 및 재료
8.실험 과정 및 실험 구성도 요약
10.실험 및 분석 결과
11.결론
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전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs
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