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물리전자공학 기말고사 solution
문제1) 서로 다른 3개의 반도체 (Ge, Si, GaAs) 에 대하여 온도에 따른 majority carrier 농도 를 측정한 결과가 아래와 같다. 여기서 A, B, C 가 어떤 반도체인지 근거를 제시하여 설명하라. (Ge, Si, GaAs 의 Eg 값은 0.67
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물리계층 연구, 한국정보통신대학교
정보통신연구진흥원(2004), 초고속무선 LAN 포럼 운영
장승현 외 2명(2010), 초고속 무선 통신을 위한 광대역 회로 설계, 대한전자공학회
정찬형 외 1명(2001), 5GHz대역 초고속 무선 기술, 한국인터넷정보학회 
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물리학회
2) 두산백과, 두피디아,3) “전파를 이용한 무선통신기술의 탄생”, YTN사이언스, 2019/08/02,
https://m.science.ytn.co.kr/program/view.php?mcd=0082&key=201908021654008685
4) “지능형반도체란?”, 고려대학교 세종캠퍼스, 지능형반도체공학과, 학과소개,
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전자통신연구원
이연우(2012). QR코드를 이용한 공원 시설물 관리 시스템. 인천대학교 정보통신대학원 석사학위논문
이연화(2006). 디지털 미디어 교육과 유비쿼터스의 새로운 교육환경 변화에 관한 연구. 수원대학교 교육대학원 석사학위논문
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전자물리학실험을 수행할 수 있는 ‘나’를 만들어야겠다. 1. 실험 목표
2. 실험 배경 요약(교재와 참고문헌 활용)
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험 과정 및 실험 구성도 요약
5. 실험 및 결과 분석, 검토, 결론.
6. 실험 목표에 대한 자기평가
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