실험12. CE회로의 트랜지스터 데이터와 콜렉터 특성곡선

목차

▣목적
1. 트랜지스터 지침서에 있는 데이터들과 친숙해 진다.
2. CE회로의 콜렉터 특성곡선(VCE 대 IC)을 실험에서 결정하고 그린다.
3. CE회로의 평균 콜렉터 특성을 트렌지스터 커브 트레이스를 사용하여 나타낸다.

▣기본지식

▣실험 기기 및 부품

▣실험순서

본문내용

er {2 }
×2㎃ = 5㎃)
(b) 커브 트레이서의 초기 상태에서 베이스전류 스텝 사이의 차는 10㎂이다.
(d) 식에 대입하여 β를 구할 수 있다.
beta = { DELTA { I}_{C }} over { DELTA { I}_{B } }= { 5 TIMES { 10}^{-3 } } over { 10 TIMES {10 }^{-6 } } =500

키워드

ce회로 트랜지스터,   데이터와 콜렉터