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트랜지스터 지침서에 있는 데이터들과 친숙해 진다.
2. CE회로의 콜렉터 특성곡선(VCE 대 IC)을 실험에서 결정하고 그린다.
3. CE회로의 평균 콜렉터 특성을 트렌지스터 커브 트레이스를 사용하여 나타낸다.
▣기본지식
▣실험 기기 및 부품
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트랜지스터라 한다. PNP와 NPN은 carrier가 hole인가 전자인가의 차이만 있고 그 동작원리는 같다. 한편, 에미터를 접지시킨 공통 에미터(약자로 CE : common emitter)회로는 전자회로에서 흔히 쓰이는 회로로서 그 동작원리는 3극 진공관의 경우와 매우
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CE-CC 2단 증폭기 회로--------------------------------------
(3) 아래와 같이 CE-CC 2단 증폭기 회로를 결선한다.
※ CE-CC 2단 증폭기
(4) 교류전압원의 크기를 10mV/1kHz로 하고오실로스코프로 노드 1,2,9의 전위(교류성분의 최대치)를 측정하여 표1에 기입하고
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트랜지스터의 β를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면(βR_E≫R_B) 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터 β와 무관하게 된다. 그러므로 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, I_C와 V_CE의 변화는 미약할 것
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회로, 진영사, 김태용 외, p261~303
최신전자회로, 진영사, 조재황, p75~78
알기쉬운전자회로 복두출판사 김영태 외 p148~150
고등학교 산업전자 교육부 충남대 공업교육연구소 p19~23 I. 서론
II. 본론
A. 트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipol
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