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이극 접합 트랜지스터 즉, BJT의 기본적인 형태는 두 개의 다이오드가 내부적으로 접합된 형태를 가지며 달리 말하면 PN접합 다이오드에 P형 혹은 N형 반도체 하나를 추가한 형태이며 이 접합에 따라 NPN형과 PNP형으로 나뉜다. BJT는 이미터(E), 베
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1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4. 이론 개요
5. 실험순서
6. 토의 및 고찰
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쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성과 BJT의 고정 바이어스 및 전압분배기 바이어스에 대하여 실험을 하였다.
약한 신호를 증폭하는 장치를 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)라하고 이를 바탕으로 8장 실험을 하였다.
실험 8-2 컬렉터 특성은
가된다.
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접합의 형태가 다르기 때문이다.
이 둘의 차이점을 좀 더 구체적으로 이해하려면, 이들이 동작을 했을 때가 어떤 상태인지를 이해해야하는데, 이들이 동작 중일 때에는 다음과 같은 상태가 된다. 빨간색으로 표시한 부분이 전류가 흐르는
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.12
0.696
9.16
0.995
228
8.06
9.34
9.41
0.688
9.45
0.995
235.25
16.59
50
2.06
10.71
10.79
0.712
10.84
0.995
215.8
4
11.1
11.18
0.704
11.23
0.995
223.6
6
11.36
11.44
0.697
11.49
0.995
228.8
가장 큰 값은 어떤 영역인가? VCE와 IC의 관계된 값을 사용하여 설명하라.
VRB = 6.62V, IB = 20㎂ 영역
가
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