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1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4. 이론 개요
5. 실험순서
6. 토의 및 고찰
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쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성과 BJT의 고정 바이어스 및 전압분배기 바이어스에 대하여 실험을 하였다.
약한 신호를 증폭하는 장치를 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)라하고 이를 바탕으로 8장 실험을 하였다.
실험 8-2 컬렉터 특성은
가된다.
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VCE의 영향보다 IC에 의한 영향이 더 크다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
(2) 컬렉터 특성
(3) 알파오 ㅏ베타의 변화
(4) 트랜지스터 특성의 결정
5. 결론 및 고찰
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BJT
http://blog.naver.com/unipels232?Redirect=Log&logNo=90023762588
전자회로(I) ,정동명교수님저,인터비전
○전자회로, ALBERT PAUL MALVINO 저
○GOOGLE 검색을통한사진자료
○전자회로강의자료참고. 1.BJT(Bipolar Junction Transistor) 쌍극성(양방향) 접합 트랜지스터BJ
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트랜지스터
(2) NPN트랜지스터
(3) 전류 증폭률
(4) PNP트랜지스터
(5) 트랜지스터의 동작 원리
(6) 트랜지스터의 전압-전류 특성
(7) BJT 기본 증폭기
(8) 온도의존성
(9) 이미터 안정화 저항
(10) 고정바이어스
(11) 전압분배 바이어스
(12) BJT 실
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