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트랜지스터
n형, p형, n형 순으로 접합한 구조이며 n형 반도체 중 하나에 연결된 단자를 컬렉터, 나머지 하
나의 n형 반도체에 연결된 단자를 이미터라고 부르며 p형 반도체에 연결된 단자를 베이스라고
한다.(3) 전류 증폭률
베이스와 이미터
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점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한 형은 빛을 조명하였을 때, 이에 따라 발생하는 전류가 매우 커서 빛감도는 광전관(光電
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트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다. 또 npn(또는 pnp) 접합트랜지스터의, 또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한
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IB, IC 빼면 실험은 거의 성공적이었고 트랜지스터의 특성도 더욱 확실히 알 수 있었다.
<질문 사항>
1. 그렇다면 R1을 바꾸게 되면 어떻게 되나?
2. 트랜지스터의 증폭률에도 한계가 있나?
3. 트랜지스터가 전류를 증폭시키는 원리는?
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트랜지스터 전류 이득에 비례하여 입력 전류가 증폭된다.
트랜지스터 이미터 공통회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구한 전류증폭률 의 평균값 를 구하여라.
그림 6-10의 트랜지스터 이미터 공통회로를 해석하여라.
단, 사용
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