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트랜지스터 베이스에 입력 직류 전류는 변화되고, 베이스 전류의 변화는 컬렉터 전류를 변화시키므로, 트랜지스터 전류 이득에 비례하여 입력 전류가 증폭된다.
트랜지스터 이미터 공통회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구
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tad, LOUUS NASHELSKY 저
http://cafe.naver.com/whduddn0317
컬렉터 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://naotow1.tistory.com/23154
알파, 베타
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
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회로의 DC 파라미터를 계산하고, 측정하여 기록한다.
파라미터
계산값
측정값
%오차
IB
430uA
404uA
6%
IC
86mA
66mA
23%
IE
86.4mA
65mA
24%
VBE
0.7V
0.7V
0%
VCE
1.4V
3.5V
150%
VCB
0.7V
2.7V
230%
7. 참고문헌
전자회로실험 P.44~49
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.c
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실험방법 및 순서 62
5. Simulation 65
6. 실험 결과 67
실험 7. Op-Amp 기본 회로 69
1. 실험 목적 69
2. 기초이론 69
3. 예비 보고서 74
4. 실험기자재 및 부품 76
5. 실험방법 및 순서 76
6. Simulation 78
7. 실험 결과 85
실험 8. Op-Amp 특성 측
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실험 9: 정류회로와 트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
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