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실험 내용
(1) BJT의 단자 연결도를 확인하라 <그림 6>
(2) 트랜지스터의 이미터 접합과 컬렉터 접합의 순방향과 역방향의 저항크기를 측정하여 기록하라.
(3) <그림 7>의 특성 측정을 위한 회로를 구성하고, 와 의 크기를 측정하여 기록하
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5 pspice 시뮬레이션
1) BJT 전류 전압 특성곡선
2) BJT turn-on voltage
3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(시간에 따른)
4) 3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(전압에 따른)
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tad, LOUUS NASHELSKY 저
http://cafe.naver.com/whduddn0317
컬렉터 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://naotow1.tistory.com/23154
알파, 베타
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
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특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias
1. 실험
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BJT (Bipolar Junction Transistor)
② BJT 동작 및 바이어스
③ 이미터, 컬렉터, 베이스 전류
④ 트랜지스터의 전류 이득
⑤ 평균 컬렉터 특성
⑥ 평균 컬렉터 특성(VCE-IC)을 결정하기 위한 시험 회로 : 점 대 점 방법
① 베타(β) 측정
② VCE 대 IC
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