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이용하면
I_CEO = ( β +1 ) I_CBO
의 식이 나오고
I_CEO βI_CBO
의 관계식으로 나타낼수 있다. 즉
I_C = βI_B
의 식을 얻을수 있다.그리고
I_E = I_C + I_B
=βI_B + I_B
이므로
I_E = (β +1 ) I_B
를 얻을수 있다. 트랜지스터 특성곡선 1
트랜지스터 특성곡선 2
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동작은 다수 캐리어만의 이동에 의존하므로 단극성소자 (unipolar device)이다.
② 접합 트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전압증폭소자에 적합하다.
③ 잡음특성이 양호하여 소신호를 취급하기 좋다.
④ 제조과정이 간단
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트랜지스터의 구조
- 트랜지스터의 동작
- 내부에서 전자의 움직임
- 트랜지스터의 특성 표시
- NPN & PNP 트랜지스터
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트랜지스터와 파워트랜지스터로 분류하며 일반적으로 파워트랜지스터라 하면 1 W이상의 것을 가리킨다.
소신호 트랜지스터
최대 콜렉터 전류(IC max)가 500 mA 이하, 최대 콜렉터 손실(PC max) 1 W미만의 트랜지스터를 파워트랜지스터에 비해 소신
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트랜지스터
- PNP, NPN : http://atelierace.egloos.com/2561640 1. 트랜지스터의 개요
2. 트랜지스터의 구조와 동작
3. BJT (Bipolar Junction Transistor) 쌍극형 접합 트랜지스터
4. 쌍극형 접합 트랜지스터의 특징
5. 에미터, 베이스, 콜렉터, 직류 베타,
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