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특성이 나쁘다
3. MOSFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
Vgd 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 5v까지 측정 )
4. 시뮬레이션 결과
y축 하단서부터 Vgs값이 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0v값을 지닌다. 1. 목적
2. 이론
3. MOSFET
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실험해보며 기억속에 더 자리잡게 해줬고 소스 접지 증폭기 실험을 통하여 전압 이득을 계산해보고 동작에 대해서 공부해볼 수 있는 기회였다. 1. 사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
2.1 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 변화
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전압이 문턱 전압 Vtm이상으로 넘어서면서 닫혀 있던 채널 폭이 점점 열린다.
MOS FET의 종류는 다음과 같이 4가지가 있다.
1)D형 n채널 MOS FET 2)D형 p채널 MOS FET 3)E형 n체널 MOS FET 4)E형 p채널 MOS FET
3. JFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
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특성에 대해 알아보았다. 이번 실험으로 와 의 전압-전류 특성도 알 수 있었고, 문턱전압이라는 가 무었을 의미하는지도 알게 되었다. 아직 전자회로 이론 시간에 배우지 않은 내용이라 생소한 부분들이 많이 있지만, 예비보고서 이론 조사를
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실험 후 과정): 검토 및 느낀점
달링턴 회로에서에서 잡음이 많이 강하여 어떻게 해결을할까 선을 최대한 줄여보고, 접지도 전부 해보았지만 잡음이 많이줄어들지 않았다. 원하는 값보다 오차가 심하여 아쉬웠지만, 다음 실험에서는 조금 더
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