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결과 보고서
실험 제목: BJT 공통 컬렉터와 베이스 증폭기 회로
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정값
저항
1k
0.9821k
2.2k
2.1749k
10k
9.827
10k
9.826
10k
9.843
22k
21.930k
100k
101.09k
캐패시터
1uF
1.13uF
1uF
0
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컬렉터 저항 값의 바로 줄일 수 있다.
■ 모의실험회로 1-1 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
이론(계산)값
시뮬레이션 값
31
31.086
4.75V
4.742
5mA
5.068
■ 모의실험회로 1-2 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험
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결과 (시뮬레이션)
PSpice 모의실험 - CH.4 소신호 공통 이미터 증폭기
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 schematic 및 입력전압(vin), 출력전압(vout)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의
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. 2번 그림은 1번 그림을 변형한 그림이다.
여기서 베이스-이미터 접합의 전압 강하는 VBE=0.7V로 가정 했다. 1. 목 적
2.예비지식
1) 직류해석
2) 소신호 해석
3.기기 및 부품
4. 실 험
1) 직류 해석
2) 소신호 해석
5. Pspice 결과
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Mode, 능동 상태)
2) Saturation Mode (포화 상태) - 스위치 구성에 사용함 (ON상태)
3) Cut-off Mode (차단 상태) - 스위치 구성에 사용함 (OFF상태)
3. 실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
실험 2. 이미터 공통 증폭기
4. 실험에 대한 고찰
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