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장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4. 이론
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장비 및 재료
DC power supply 2개
디지털 멀티미터, 전류계(0~10mA)
트랜지스터 2N5484(N채널 JFET)
SPST 스위치 2개
1. 회로를 구성하고 VGG는 제거한다. 게이트와 접지는 단락한다.
2. VDD의 출력은 0V로 하고 S1단락한다. ID를 측정하여 표에 기록한다.
3. V
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트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로의 정특성
iii. BJT의 정격
C. BJT 회로
i. BJT
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BJT
http://blog.naver.com/unipels232?Redirect=Log&logNo=90023762588
전자회로(I) ,정동명교수님저,인터비전
○전자회로, ALBERT PAUL MALVINO 저
○GOOGLE 검색을통한사진자료
○전자회로강의자료참고. 1.BJT(Bipolar Junction Transistor) 쌍극성(양방향) 접합 트랜지스터BJ
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트랜지스터를 동작시키고 PNP 의 경우에는 Base를 통해서 전류를 뽑아내는 방식으로 트랜지스터를 동작시킨다는 것을 알 수 있다. 1. 사전 지식
❖ BJT (Bipolar Junction Transistor)
2. 시뮬레이션
3. 실험 절차
4. 연습문제
5. 분석 및 토의
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