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트랜지스터 지침서에 있는 데이터들과 친숙해 진다.
2. CE회로의 콜렉터 특성곡선(VCE 대 IC)을 실험에서 결정하고 그린다.
3. CE회로의 평균 콜렉터 특성을 트렌지스터 커브 트레이스를 사용하여 나타낸다.
▣기본지식
▣실험 기기 및 부품
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회로(CE회로)
3. 실험 기구
- 회로실험보드- 멀티미터
- 1000Ω 저항- 2N3904 트랜지스터(NPN)
- 100Ω 저항
4. 실험 방법
1). 제공된 2N3904트랜지스터를 사용하여 그림 3.1a와 같은 회로를 구성하여라(저항, 저항 ). 데이터를 기록할 때 그림 3.1b의 회로도를
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트랜지스터에 대해서 실험을 하였다. 트랜지스터(Transistor)는 Transfer + Resistor의 합성어로 증폭작용은 다수의 캐리어가 낮은 저항회로에서 높은 저항 회로로 전달됨으로 써 이루어지는 것을 의미한다.
트랜지스터의 구성을 보면 크게 세 가지로
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회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4-1 실
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회로실험 P.52~58
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4-1 실
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데이터란 무엇인가요?
Part 2. 기본 공통 질문 총정리
1. 학생에 대한 자기소개를 해주세요
2. 우리 학교에 지원한 이유는 무엇인가요?
3. 갈등을 중재하여 문제를 해결한 경험이 있나요? 그 경험을 통해 배운 점을 말해보세요.
4. 고교시절
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