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목차
Introduction
Floating gate의 작동원리
NOR $ NAND type
SONOS
Flash Memory Application
Floating gate의 작동원리
NOR $ NAND type
SONOS
Flash Memory Application
본문내용
메모리 기본 개념과 정의
메모리 IC는 읽어낼 수 있는 전자정보를 바이너리 형태로 저장하는 데 사용되는 반도체
휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 나뉘어짐
DRAM특징
VOLATILITY
HIGH DENSITY
HIGH POWER
REWRITABILITY
FAST READ, WRITE
HIGHENDURANCE
LOW COST
비트당 가격이 가장 저렴하여 오늘날 판매되는 메모리의 대부분을 차지
SRAM 특징
VOLATILITY
SMALL DENSITY
HIGH POWER
REWRITABILITY
FAST READ, WRITE
HIGH COST
플립플롭을 사용하는 것이 커패시터를 사용하는 것보다 어렵기 때문에 DRAM에 비해 가격이 비싸고 전력소모가 크며 대량의 기억 장소를 집적하기 어렵다(DRAM대비 ¼)
ROM
MASK ROM
PROM (Programmable ROM)
OTPROM(One Time PROM)
EPROM(Erasable PROM)
UV-EPROM(Ultra Violet EPROM)
EEPROM(Electrically EPROM)
메모리 IC는 읽어낼 수 있는 전자정보를 바이너리 형태로 저장하는 데 사용되는 반도체
휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 나뉘어짐
DRAM특징
VOLATILITY
HIGH DENSITY
HIGH POWER
REWRITABILITY
FAST READ, WRITE
HIGHENDURANCE
LOW COST
비트당 가격이 가장 저렴하여 오늘날 판매되는 메모리의 대부분을 차지
SRAM 특징
VOLATILITY
SMALL DENSITY
HIGH POWER
REWRITABILITY
FAST READ, WRITE
HIGH COST
플립플롭을 사용하는 것이 커패시터를 사용하는 것보다 어렵기 때문에 DRAM에 비해 가격이 비싸고 전력소모가 크며 대량의 기억 장소를 집적하기 어렵다(DRAM대비 ¼)
ROM
MASK ROM
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