본문내용
로 되어 소자가 차단 상태에 이르게 되는데, 이때의
를 말한다.
5. JFET의 게이트와 채널 사이의 물리적 관계를 설명하라.
☞ 공핍층이 두꺼워지면 전류를 잘 흐리지 않게 되고, 얇아지면 전류는
잘 흐르게 된다.
문 제 풀 이
1. JFET소자는 (전류제어) 소자이다.
2. JFET의 채널은 (게이트와 소스) 사이에 형성된다.
3. JFET에서 (핀치-오프와 항복영역) 사이에서 일정한 전류가 흐른다.
4. 란 (최대허용 드레인 전류)이다.
5. 일정한 전류영역에서 드레인 전류는 (, 가 감소) 할 때 증가한다.
문 제 풀 이
6. JFET는 항상 (역방향 바이어스 된 게이트-소스 pn접합)으로 동작한다.
7. 어떤 JFET의 규격표에서 일때, 핀치오프 전압은 4[V]이다.
8. (a)의 그림은 n채널이므로 역방향 바이어스를 걸어야 한다.
(b)의 그림은 p채널이므로 순방향 바이어스를 걸어야 한다.
9. 어떤 JFET의 규격표에 이다.
일 때 핀치-오프점 을 넘어선 에 대한 값은? 단,
☞ 일 때의 드레인 전류는 이다.
10. JFET의 규격표에 로
주어져 있다. 에서의 순방향 전달 컨덕턴스와 이점에서의
드레인 전류 를 구하라.
(2)
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를 말한다.
5. JFET의 게이트와 채널 사이의 물리적 관계를 설명하라.
☞ 공핍층이 두꺼워지면 전류를 잘 흐리지 않게 되고, 얇아지면 전류는
잘 흐르게 된다.
문 제 풀 이
1. JFET소자는 (전류제어) 소자이다.
2. JFET의 채널은 (게이트와 소스) 사이에 형성된다.
3. JFET에서 (핀치-오프와 항복영역) 사이에서 일정한 전류가 흐른다.
4. 란 (최대허용 드레인 전류)이다.
5. 일정한 전류영역에서 드레인 전류는 (, 가 감소) 할 때 증가한다.
문 제 풀 이
6. JFET는 항상 (역방향 바이어스 된 게이트-소스 pn접합)으로 동작한다.
7. 어떤 JFET의 규격표에서 일때, 핀치오프 전압은 4[V]이다.
8. (a)의 그림은 n채널이므로 역방향 바이어스를 걸어야 한다.
(b)의 그림은 p채널이므로 순방향 바이어스를 걸어야 한다.
9. 어떤 JFET의 규격표에 이다.
일 때 핀치-오프점 을 넘어선 에 대한 값은? 단,
☞ 일 때의 드레인 전류는 이다.
10. JFET의 규격표에 로
주어져 있다. 에서의 순방향 전달 컨덕턴스와 이점에서의
드레인 전류 를 구하라.
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