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특성 곡선의 형태를 알아보고, ID=0mA를 초래하는 VGS 값은 VP에 가까운 값이라는 이론적 내용과 VDS가 특성곡선에 큰 영향을 주지 않는 다는 사실 등, 이론적인 내용을 알아보기에는 충분한 실험이었다. 016. JFET 특성
017. JFET 바이어스 회로
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로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379 (그림 참조)
출력, 전달 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379 (그림 참조)
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JFET를 과도한 게이트전압으로부터 보호하기 위해
⇒ 이 실험에서 순방향 전달컨덕턴스를 구하기 위해서는 다이오드의 게이트와 소스전합을 순방향 바이어스로 할 필요가 있다.
4. 그림 20-3의 곡선으로 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VGS(off) (c) g
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편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp248-258.
Thomas L. Floyd, 장학신, 이원석, 김창수 역, 『Electronic Devices』, 광문각, 2008. pp326-332.
위키백과, JFET, http://en.wikipedia.org/wiki/Jfet 1. 실험 결과
2. 검토사항
3. 연습문제
4. 참고문헌
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0으로 되어 소자가 차단 상태에 이르게 되는데, 이때의
를 말한다.
5. JFET의 게이트와 채널 사이의 물리적 관계를 설명하라.
☞ 공핍층이 두꺼워지면 전류를 잘 흐리지 않게 되고, 얇아지면 전류는
잘 흐르게 된다.
문 제 풀 이
1. JFET소자는 (전
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