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로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
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출력, 전달 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
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특성 곡선의 형태를 알아보고, ID=0mA를 초래하는 VGS 값은 VP에 가까운 값이라는 이론적 내용과 VDS가 특성곡선에 큰 영향을 주지 않는 다는 사실 등, 이론적인 내용을 알아보기에는 충분한 실험이었다. 016. JFET 특성
017. JFET 바이어스 회로
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특성곡선과 부하선의 교차점에서의 와 의 값을 기록하라.
④전압 의 이론치를 계산하고, 기록하라.
⑤전압 를 측정하고, 기록하라.
⑥식(17-1)을 이용하여 측정치와 계산치의 사이의 오차율을 계산하라.
⑦순서⑤의 측정 전압으로부터 아래 식
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JFET에서 흡수되는 전력을 구하라.
답 : 12.03mW
8. 드레인-소스 전압이 1/2(VDD) 값에서 ±10% 이내로 결정되어야 할 경우, 주어진 이 회로는 이 조건을 만족하는가?
답 : 만족한다.
이론
PSpice 모의실험 13-2
1. 드레인 전류를 구하라.
답 : 3.557mA
2. 드레인
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컬렉터 특성
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알파, 베타
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