CMOS 전체적인 공정의 개요

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목차

■ CMOS 전체적인 공정의 개요

● 각 공정에 쓰인 mask에 대한 도식도 및 각 공정단계에 대한 설명

본문내용

thin-oxide 지역 위에 p+ 지역이 없으면 이 지역이 n+확산이거나 n-thinox 임을 나타낸다. p-well 내의 n-thinox는 n+ 확산이나 도선을 정의한다(그림 3e). n-substrate내의 n+ 확산으로서 ohmic 접촉을 만들 수 있다. 이 단계 다음에 칩의 표면을 SiO2층으로 덮는다.
·이제 접촉부(contact cut)를 정의한다. 이에는 접촉하는 표면까지 SiO2를 에치해 내려가야 한다(그림 3f). 그러면 금속이 확산지역이나 폴리실리콘 지역에 접촉할 수 있다.
·다음에 금속을 표면에 덮고 선별적으로 에치한다(그림 3g).
·최종단계로 웨이퍼를 passivation 시키고 본드패드의 개구부를 에치하여 도선을 접촉한다. passivation시키면 회로작동에 나쁜 영향을 주는 오염물질의 칩입으로부터 실리콘 표면을 보호할 수 있다.
그림 3. 전형적인 p-well CMOS 공정과정과 이에 필요한 mask들
그림 3. 전형적인 p-well CMOS 공정과정과 이에 필요한 mask들
Refences
[1] 이종명. 반도체 기술 핸드북 p. 34-35. 2004.
[2] 정감민. CMOS VLSI 공학 p. 87-90. 2000.

키워드

CMOS,   p-well,   실리콘,   NMOS,   mask,   source,   drain,   산화막