p-well

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	CMOS 전체적인 공정의 개요 thin-oxide 지역 위에 p+ 지역이 없으면 이 지역이 n+확산이거나 n-thinox 임을 나타낸다. p-well 내의 n-thinox는 n+ 확산이나 도선을 정의한다(그림 3e). n-substrate내의 n+ 확산으로서 ohmic 접촉을 만들 수 있다. 이 단계 다음에 칩의 표면을 SiO2층으로 덮는 CMOS 실리콘, p-well NMOS, CMOS 전체적인 공정의 개요,	페이지 4페이지 가격 1,000원 등록일 2006.03.06 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	Well pormation in CMOS Conventionally diffused p-well - 고온과 긴 성장 시간을 필요로한다. Implanted p-well 열 확산에의해 형성된 우물에비해 저온으로 단시간에 우물을 형성할 수 있다. 측면 확산을 줄이고 소자밀도 증가 하부 근처에서 높은 도핑농도를 갖기 때문에 CMOS MOS, Well Well pormation, Well pormation in CMOS,	페이지 18페이지 가격 2,000원 등록일 2007.04.10 파일종류 피피티(ppt) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음