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실리콘 표면을 보호할 수 있다.
그림 3. 전형적인 p-well CMOS 공정과정과 이에 필요한 mask들
그림 3. 전형적인 p-well CMOS 공정과정과 이에 필요한 mask들
Refences
[1] 이종명. 반도체 기술 핸드북 p. 34-35. 2004.
[2] 정감민. CMOS VLSI 공학 p. 87-90. 2000. ■ C
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CMOS,”in IEDM Short Course: Sub-100 nm CMOS, M. Bohr, Ed., IEDM Tech.
Digest (1999)
[25] D. Fried, A. Johnson, E. Nowak, J. Rankin, and C. Willets,
Proc. of the device research conference, 24 (2001)
[26] S. Tiwari, M. Fischetti, P. Mooney, and J. Welser, IEDM
Tech. digest, 939 (1997)
[27] D.-H. Lee,
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실리콘 트랜지스터(CMOS) 개발(KAIST), 4Gb급 Si기반 단전자메모리(SEM) cell 개발(삼성, 서울대)
□ 나노소재기술분야
* 저온 경량, 고강도, 고내성 특성을 갖는 첨단의 열가소성 올레핀 나노복합소재 개발 → 자동차 외장소재로 활용가능(GM)
* 직경 2
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(4) 실리콘 양자 소자
Si-화합물 조합 복합 반도체가 주를 이룸.
CMOS회로와 집적 기술 개발 추진.
실리콘 발광소자의 종류
- 저차원 시스템
- 불순물(Er) 주입
- 신물질(실리사이드)
2. 국내 연구동향
차세대 추진동력 과제
- 초고속
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