p-well NMOS

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다. thin-oxide 지역 위에 p+ 지역이 없으면 이 지역이 n+확산이거나 n-thinox 임을 나타낸다. p-well 내의 n-thinox는 n+ 확산이나 도선을 정의한다(그림 3e). n-substrate내의 n+ 확산으로서 ohmic 접촉을 만들 수 있다. 이 단계 다음에 칩의 표면을 SiO2층으로 덮

CMOS 실리콘, p-well NMOS, CMOS 전체적인 공정의 개요,

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등록일 2006.03.06
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