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산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
장수환(2010), 질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스
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제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 oxide 층을 제공한다. 산화막(oxide)
산화공정(Oxidation)
산화막 형성온도 영역
산화막 형성 방법
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산화막
● 산화막이란
● 열 산화(thermal oxidation)
● 건식 산화(dry oxidation)
■ p-n junction 에 대해 설명하라.
● N-Type Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barri
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osed tube)으로 하는 방법이 있다. 또한 낮은 온도에서의 증착법(CVD), 전해액을 사용하여 성장하는 방법(anodization) 등이 있다.
산화막성장은 전기로에서 크게 3가지 단계로 분류된다. 첫째, 웨이퍼를 석영관으로 넣는 과정, 둘째, 산화막성장과정,
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산화막 속에 잔존하는 H2O가 표면의 Al과 자굣하여 수소원자가 생성되어지고, 수소원자는 표면에서 산화막/ 실리콘 계면으로 확산되어 계면에 있는 덫과 반응하여 그들이 전기적인 불활성을 갖게하여 Q값을 감소시킨다. 두 번째 열처리는 선
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산화막 신뢰성 확보 등 실질적인 과제를 주도할 수 있으며, 장기적으로는 SiC Hybrid Module 또는 SiC+GaN 기반 복합 시스템 대응 기술까지 준비하여, 차세대 파워 반도체 시장의 리더로 자리매김할 수 있도록 기여하고 싶습니다. 1.지원 분야 및
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