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제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 oxide 층을 제공한다. 산화막(oxide)
산화공정(Oxidation)
산화막 형성온도 영역
산화막 형성 방법
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산화막 식각 (etch oxide)
소스 드레인 영역 플라즈마 도핑
급속 열처리 (RTA)
금속막 증착
전극 형성
절연 보호층 증착
SOI (Silicon-on–Insulator) 기판
SOI(Silicon-on-Insulator)
실리콘/산화막/실리콘
기판의 구조
산화막 절연체 위에 상부실
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산화막이라는 힌트를 주셔서 그것에 대해 많이
생각해 봤는데, Quenching 온도에 올라가기 전에 급격한 산화막형성으로 소재
위에 또다른 한 개의 층이 생겨서 비효율적인 Quenching이 ▣ 실습제목
▣ 실습목적
▣ 실습순서
▣ 실습재
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산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
장수환(2010), 질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스
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산화막의 두 가지 중요한 특성은 두께와 막의 성질이다. 이중 막의 성질은 산화막의 형성 방법에 따라 결정된다.
1.1.1 산화막의 형성공정
① 200℃이하 공정
양극산화 : 액체 전해액을 이용하여 실리콘 시료가 전해액속의 양극에서 산화됨. 전
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