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소자 제작 공정
SOI (Silicon-on–Insulator) 기판준비
보호 산화막 (screen oxide) 증착
채널층 불순물 주입
보호 산화막 제거
건식산화 (dry oxidation)
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 증착
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 이온주입
다결정실리콘 (poly-S
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공정이지만, 그 과정의 각 스텝은 모두 상호간에 영향을 주고받기 때문에 개별적으로 취급할 수 없다.
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술
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공정이지만, 그 과정의 각 스텝은 모두 상호간에 영향을 주고받기 때문에 개별적으로 취급할 수 없다.
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술
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공정 및 장비산업의 기술 동향 ]
Ⅰ. 시작하며
Ⅱ. 반도체소자의 제조공정(그림자료첨부)
Ⅲ. 반도체 공정 및 장비산업의 기술 동향
Ⅳ. 반도체관련기술의 특허출원동향
Ⅴ. 맺으며
1.mask
2. 레티클(reticle)
3. phase shift mask를 활용한 리소
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공정이 끝난 다음 glass를 cover위에 위치하게 하고 UV광을 mask를 통해 조사한다. 이 때 UV curing에 사용하는 광원은 sealant의 경화조건을 고려하여 선정해야 한다.
그림) UV를 이용한 소자 봉지 공정 ◈ OLED 공정
1. pattern형성 공정
2. 진공 박
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