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공정이 끝난 다음 glass를 cover위에 위치하게 하고 UV광을 mask를 통해 조사한다. 이 때 UV curing에 사용하는 광원은 sealant의 경화조건을 고려하여 선정해야 한다.
그림) UV를 이용한 소자 봉지 공정 ◈ OLED 공정
1. pattern형성 공정
2. 진공 박
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공정 분류
나. lithography 장치 특성
다. lithography 개발
라. Photoresist란 ?
마. Photoresist가 갖춰야 할 특성
바. Photoresist의 분류
사. 포토레지스트의 종류
3. 結 論
가. 향후전망
나. Photoresist 개발 방향
다. 정리를 마치며
☞ 해
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Pattern을 광학 Lense를 사용하여 Wafer위에 축소 노광하여 전사하는 방식.
UV Light
자외선(Ultra Violet Light)으로 적외선에 비해 파장이 짧고 Energy Density가 큰 특징이 있어 Photolithography 공정에 이용된다. 1. 반도체 기판 세척 및 산화 공정
2. 감광액
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pattern을 형성하여 제조공정과정을 이해한다. 어떠한 배치방법이나 투과도를 통해서 정확하게 분석을 해본다..
Ⅱ. 실험 재료 및 기구 :Glass, spin-coater, Photo resist, Vacuum chamber, Cr (크롬:BM), RGB 색안료
Ⅲ. Color filter의 Introduction -TFT-LCD의 color화
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Photo Lithography
정 의
PhotoLithography ?
Photo Lithography는 Wafer위에 Photoresist를 도포한 후 Exposure에 의해 Mask를 이용하여 원하는 형상의
Pattern을 형성하는 공정
≪ 그 림 ≫
Photo 공정순서
공정순서
〔Wafer 세정〕
〔표면
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