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Photoresist 개발 방향
(1) 고흡광도
(2) 고감도화
(3) 고해상도
다. 정리를 마치며
lithography는 기술적으로도 반도체 프로세스의 핵심 기술로서 반도체 디바이스의 미세화와 집적화를 주도하는 역할을 담당하고 있다. lithography 기술은 i-line(파장 365n
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사용하여 빛 을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask의 pattern과 동일한 pattern을 형성시키는 공정 photolithography
photoresist
positive negative
SU-8
procedure
subtrate pretreat
coat
soft bake
alignment&expose
post expose bake
develop
rinse&dry
hard bake
etching
remove
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대하여 PMMA보다는 고감도를 나타낸다.
주쇄절단 반응의 양자수율을 향상시키기 위하여 poly(isopropenyl t -butylketone)이 합성되기도 하였다. 감광성 고분자
Positive PR
♦종류
♦ 용해 억제형 Photoresist
♦ 주쇄 절단형 Positive Photoresist
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(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist coat (PR 코팅)
② Soft Bake(소프트 베이크)
③ Photo exposure(노광)
④ Develop(현상)
⑤ Hard bake(하드 베이크)
5) 향후의 전망
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An experimental study on the process of fine research micro-fluid chips using photoresist(PR)
Hong gil dong, Mechanical Engineering, Seoul University
Abstract Prior to the beginning of the experiment, to ensure smooth progress, the experimenter should refrain from wearing clothes that could be
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