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Photoresist 개발 방향
(1) 고흡광도
(2) 고감도화
(3) 고해상도
다. 정리를 마치며
lithography는 기술적으로도 반도체 프로세스의 핵심 기술로서 반도체 디바이스의 미세화와 집적화를 주도하는 역할을 담당하고 있다. lithography 기술은 i-line(파장 365n
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Photoresistor에 옮기는 과정. U.V ( 파장이 0.2 - 0.4 μm)를 이용한 optical Lithography가 대부분이다.
(2) 노광기구의 성능
- 해상도(resolution)
- 겹침정확도(registration) : 연속적인 마스크의 작업시 웨이퍼위에 이미 정해진 패턴에 대하여 얼마나 정확하게
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대하여 MSDS Data를 확보하고 약품반입부터 사용, 처리과정까지의 Life Cycle Assesment (LCA)의 개념에서 총괄적으로 관리해야 하며 사용하는 Water과 에너지 사용량을 최소화시키는 방향으로 추진하여야 한다. 이울러 국내 반도체 업계의 국제경쟁력
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대하여 PMMA보다는 고감도를 나타낸다.
주쇄절단 반응의 양자수율을 향상시키기 위하여 poly(isopropenyl t -butylketone)이 합성되기도 하였다. 감광성 고분자
Positive PR
♦종류
♦ 용해 억제형 Photoresist
♦ 주쇄 절단형 Positive Photoresist
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, 이용의, 김진용, \"Cellular Phone용 고주파 SAW 필터 개발\", 정보 통신부, 1995 Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
(1) 웨이퍼의 세척
(2) Ti 박막 증착
(3) Al 박막 증착
(4) PR(Photoresist) 증착
(5) 노광
(6) 현상
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅴ. 결론
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