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리소그래피의 연구 및 개발에 널리 쓰여지고 있을 뿐만 아니라 소자 생산의 중요한 하나의 도구가 되고 있다.
2. 이 론 / 공 정
(1) Lithography : 마스크상의 기하학적 패턴을 반도체 웨이퍼 표면을 덕고 있는 Photoresistor에 옮기는 과정. U.V ( 파장이
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토리소그래피 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 PR코팅 후의 소프트 베이킹, 노광 후의 post exposure baking, 현상 후의 하드 베이킹이 있다.
3.결론
지금까지 살펴본 포토리소그래피는 기계부품과 전자부품의 케미칼 에칭가공, 프린트기판 제
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전자빔의 궤도 반경 및 전자빔의 에너지를 작게한 리소그래피 전용의 소형
싱크로트론이 완성됨 X-ray Lithography
x-ray lithography의 기본원리
x-ray 리소그래피 주요특징
마스크의 투과도
회절효과
싱크로트론 방사광
장점
단점
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공정이다. 이를테면 반도체 회로의 밑그림을 그리는 과정으로, 사진 현상과 원리가 비슷해 \'포토리소그래피 공정\'으로 부르기도 한다. 네 번째, 식각공정은 회로 외의 불필요한 부분을 선택적으로 없애 주는 과정이다. 이때 회로 패턴을 만
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]
Ⅰ. 시작하며
Ⅱ. 반도체소자의 제조공정(그림자료첨부)
Ⅲ. 반도체 공정 및 장비산업의 기술 동향
Ⅳ. 반도체관련기술의 특허출원동향
Ⅴ. 맺으며
1.mask
2. 레티클(reticle)
3. phase shift mask를 활용한 리소그래피 기술
4.phase shift mask
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