X-ray Lithography(리소그래피) 정리

목차

X-ray Lithography

x-ray lithography의 기본원리
x-ray 리소그래피 주요특징
마스크의 투과도
회절효과
싱크로트론 방사광
장점
단점

본문내용

까운 속도의 전자가 자장에 의해 원운동 할 때 방출되는 빛으로 x-ray로부터 자외선, 가시광, 적외선에 이르기까지 넓은 범위에 걸쳐 연속스펙트럼을 갖고 있다.
싱크로트론의 방사광은 수평방향으로 균일하게 방출되며, 그 평행성이 좋기 때문에 lithography용으로 적합하다. 높은 에너지(0.5~1GeV)의 전자빔이 진공중에서 자장의 힘을 받아 원운동을 하면 x-ray를 사방으로 방출하고 여기에 여러개의 출력 port를 설치하여 사용하게 된다.
장점
▶ x-ray 관이나 플라즈마 광원에 비해 평생성이 대단히 좋아 반그림자 효과등의 기하학적 문제가 작고
proximity gap 조절 등 공정여유도가 크다.
▶ x-ray의 세기가 매우 높기 때문에, single resist technique을 사용하면서 감광도가 낮으나 안정성과
분해능이 좋은 resist를 사용할 수 있고, 짧은 시간 동안의 노광으로 높은 생산량을 얻을 수 있다.
▶ 연속스펙트럼을 내기 때문에 Fresnel 회절효과가 적어 선폭을 줄일 수 있다.
▶ x-ray 스펙트럼, 편광, 세기 등의 특성이 오랜 시간에 걸쳐 거의 일정하고 그 세기 변화가 예측 가능하기
때문에 공정조절이 가능하다
▶ 넓은 면적에 걸쳐 균일하게 노광시킬 수 있어 지름이 큰 웨이퍼를 사용할 수 있다.
▶ 한 대의 광원에 여러 대의 스텝퍼를 설치하여 사용할 수 있다.
단점
▶ 기존의 반도체 생산장비에 비해 그 크기가 대단히 크고 설비비가 비사다
▶ 최근 초전도체 자석을 사용하여 전자빔의 궤도 반경 및 전자빔의 에너지를 작게한 리소그래피 전용의 소형
싱크로트론이 완성됨

키워드

x-ray 리소그래피 정리,   Lithography,   리소그래피,   번역,   기본원리,   회절효과