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리소그라피 : 오히려 CAR이전 레지스트 사용
- 50nm pattern형성 예측
(3) E-beam, X선 : 화학증폭형 레지스트 개념 적용
나. Photoresist 개발 방향
(1) 고흡광도
(2) 고감도화
(3) 고해상도
다. 정리를 마치며
lithography는 기술적으로도 반도체 프로세스의 핵
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리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔리소그라피)
E-beamLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 전자에 예민한 성질을 가지고 있는 레지스트 (resist)를 얇게 바른 후, 원하는 패턴을 마스크 없이 직접 전자빔를 가하여 그림을 그리거나 글씨를
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리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔리소그라피)
E-beamLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 전자에 예민한 성질을 가지고 있는 레지스트 (resist)를 얇게 바른 후, 원하는 패턴을 마스크 없이 직접 전자빔를 가하여 그림을 그리거나 글씨를
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리소그라피(lithography), 유기물/전극의 형성, 패시베이션 등의 전공정에 대한 장비 개발이 선행되어야 한다.
유기EL의 응용분야
유기EL 기술이 제품에 적용될 수 있는 분야는 매우 다양하다고 할 수 있는데 이러한 기술의 광범위한 제품기술로서
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리소그라피 공정기술
EUV광원, soft X-ray 광원을 이용한 수차 최소화 방법론 개발, 위상차 마스크제작, X-선 박막 흡수체 형성, 결함측정 등의 기술과 관련 소프트웨어를 개발하고 광리소그라피 공정기술 개발
'02∼'06
(5년이내)
후보
16.스핀정보
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