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대하여 PMMA보다는 고감도를 나타낸다.
주쇄절단 반응의 양자수율을 향상시키기 위하여 poly(isopropenyl t -butylketone)이 합성되기도 하였다. 감광성 고분자
Positive PR
♦종류
♦ 용해 억제형 Photoresist
♦ 주쇄 절단형 Positive Photoresist
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itive PR
negative
Positive
접착도
좋음
나쁨
분해능
어려움
좋음
막의 두께
4000~17000Å
20000Å
산소와의 반응
반응함
반응하지 않음
노출 관용도
관용도 크다
관용도 적다
j) Development
ⓐ negative PR
- 현상액 : 자일린, 스토다드 용제(stoddar’s solvent),혼합
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Positive PR
빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 감광제(Photo Resisit).
PR
Photo Resist
감광성 수지를 말하며 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성(Positive)과 음성(Negative)으로 나뉜다. 양성인 경우는 Sensitizer
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PR제거한다.(PR Strip)
4월 29일 실험 : ‘ Develop까지’
1단계 : 이전 실험을 마친 'Etching'된 실리콘 웨이퍼를 준비한다.
2단계 : ‘Etching'된 실리콘 웨이퍼 위에 ‘Positive PR용액’을 코팅한다.
3단계 : 'soft baking'을 한다.
4단계 : 실리콘 웨이퍼위에 ‘
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exposure, perform photo exposure bake as shown in Table 3. Remove the passive PR except the negative PR parts exposed to UV on the SU-8 resist components coated in the Wafer. Once the development process has been completed, the positive PR is removed and the desired 'T' shaped channel can be seen vi
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