포토리소그래피 실험

소개글

포토리소그래피 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

없음

본문내용

itive PR
negative
Positive
접착도
좋음
나쁨
분해능
어려움
좋음
막의 두께
4000~17000Å
20000Å
산소와의 반응
반응함
반응하지 않음
노출 관용도
관용도 크다
관용도 적다
j) Development
ⓐ negative PR
- 현상액 : 자일린, 스토다드 용제(stoddar’s solvent),혼합액
- 세척액 : n-Butyl acetate
- 분사형상(Spray Development)
ⓑ positive PR
- 현상액 : Sodium Hydroxyde 용액
- 세척액 : 물
- 이머젼(immersion)
k) Etching Process
- 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면(PR+Sio2)을 선택적으로 제거하는 기술
l) Classification of Etching
Wet Etching
Dry Etching
- Plasma Etching
- Sputter Etching
- Reactive Ion Etching(RIE)
m) Wet Etching
용액에 담금
- 버퍼 산화에칭(BOE)사용 → 영액에 wafer담가 에칭
등방성(isotropic) : 모든 방향으로 똑같이 에칭
약체 화학폐기물 발생
n) Dry Etching
o) Removal of PR
실리콘 산화막을 데거하고 감광막을 제거하는 공정
일반적으로 액체 감광제 스트리퍼 사용
감광막을 기판으로부터 부풀어 오르게 하고 점착력을 약화시킴
건식과정은 산소 플라즈마 시스켐 안에서 감광제를 산화시켜 제거
- 습식 스트리밍
유기물 스트리퍼, 수성아민, 용제 스트리퍼
- 건식 스트리밍
플라즈마 스트리퍼

키워드

포토리소그래피,   실험,   포토리소그래피 실험