반도체 제조 공정

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반도체 제조 공정 (반도체 제조 공정 과정, 반도체 제조 공정 웨이퍼 제조, 반도체 제조 공정 회로 설계, 반도체 제조 공정 조사, 반도체 제조 공정 연구, 반도체 제조 공정 분석, 반도체 제조 공정 5단계)


반도체 제조 공정의 큰 흐름

웨이퍼 제조 및 회로 설계

전공정(웨이퍼 가공)

후공정(조립 및 검사)

완성

웨이퍼 제조 및 회로 설계
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<웨이퍼 제조 및 회로설계>의 대표적인 5단계

단결정 성장
규소봉 절단
웨이퍼 표면연마
회로 설계
Mask 제작
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<전공정(웨이퍼 가공)>의 대표적인 5단계

초기 산화
마스킹
나이트 라이드식 각
이온주입
금속개선증착

<<그림>>
공정 목적 : 
배선 간 간격이 매우 미미하여 합선의 가능성이 큼.
웨이퍼에 그려질 배선간 합선방지(배선을 구분하는 절연체의 역할.)

웨이퍼 표면에 산화규소막(SiO2)을 형성시킨다.다음과 같은 화학 반응을 이용한다.

<<그림>>

SiO2/Si 계면에서 발생
실온에서는 반응 일어나지 않고, 수시간동안 수백도의 온도로 가열하여 화학반응해야함.
이 계면은 외부 기체에 노출되지 않으므로
원하지 않는 불순물(impurity)의 주입도 방지
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공정 원리 :나이트라이드(Si3N4)는 시레인가스(SiH4)와 암모니아(NH3)가스를 혼합하여 수 시간동안 수백 도의 온도로 가열함으로써 얻을 수 있다.

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