산화막형성

목차

산화막(oxide)

산화공정(Oxidation)

산화막 형성온도 영역

산화막 형성 방법

본문내용

n은 silicon과 silicon ioxide의 표면에서 일어난다. 이 표면에서 반응이 일어나기 위해서, 산소는 SiO2층을 통해서 확산해야 한다. SiO2가 산소의 확산의 장벽이기 때문에 SiO2의 성장 속도는 시간에 따라서 감소한다. 초기의 processing 단계에서 500Ao이나 0.05㎛정도의 두께는 900℃, 산소 하에서 30분 정도면 충분하다.
-건식산화 : Si + O2 → SiO2
약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다.
0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 oxide 층을 제공한다.

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