실리콘 산화막의 용도와 성장 방법

본문내용

nisotropy)이 제거되므로 초크랄스키 법에서는 원주형 결정이 성장된다. 일반적으로 초크랄스키 법에서는 성장 속도의 이방성에 의하여 잘 발달되려고 하는 특정의 결정면이 회전 효과에 의하여 발달되지 못하고 가는 줄의 형태로 흔적만 남기게 되는데, 이를 성장 리지(ridge)라 한다, 이러한 성장 리지는 결정의 성장 방향에 따라 대칭성을 나타낸다. 초크랄스키 실리콘 단결정에서 성장 리지의 형성은 {111}면의 억제에 기인하므로 {111}면의 궤적을 따라 형성 된다. 따라서, 성장 방향을 [100]으로 정의하면 성장 리지는 [011],[011],[011],[011]의 네방향으로 형성된다. 즉 <100>방향으로 성장된 초크랄스키 실리콘 단결정 표면에는 네 개의 성장 리지가 90도 간격을 이루면서 형성된다.

키워드

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