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일어난다. 이 표면에서 반응이 일어나기 위해서, 산소는 SiO2층을 통해서 확산해야 한다. SiO2가 산소의 확산의 장벽이기 때문에 SiO2의 성장 속도는 시간에 따라서 감소한다. 초기의 processing 단계에서 500Ao이나 0.05㎛정도의 두께는 900℃, 산소 하
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.2. Result
○ 반응식
n Si(OC2H)₄+ 4nH2O → nSi(OH)₄+ 4nC2HOH
n Si(OH)₄→ nSiO2 + 2nH2O
- TEOS(0.134mol) 와 물(1.346mol)의 반응비는 1:4이며, 여기서 한계반응물은 TEOS이다. 그러므로 SiO2 의 생성몰수도 똑같은 몰수이다.
즉, SiO2의 이론적 생성몰수는 0.134mol이다.
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SiO2 系에서 Anorthite 合成 및 그 物性에 關 硏究.
백용혁. 한양대학교 대학원. 1983. 6
· β-Spodumene 계 결정화유리에 첨가된 알칼리류 산화물의 영향.
이원호. 한양대학교 대학원. 1992. 12
· Gehlenite(2CaO·Al2O3·SiO2)의 석출이 유리/결정화유리+알루미나
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물성은 현저하게 저하된다. 또한, Al2O3의 양이 증가하는 경우에는 Cordierite 화학 양론적 조성까지는 유리 형성이 가능하지만 그 이상에서는 다량의 Al2O3로 인해 유리 형성이 어려운 특성을 나타낸다. 1. Li2O-Al2O3-SiO2 (LAS)
2. MgO-Al2O3-SiO2 (MAS)
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사이즈여서 여과가 되지 않을수도 있어서 Evaporator를 사용해준다고 조교님께서 말씀해주셨다. 우리가 조사한 SiO2와 우리가 합성한 SiO2 모두 2θ=22° 정도에서의 피크값을 갖는다. 우리조는 실험이 잘 되었지만 비이커를 이용해서 12시간을 교반
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SiO2 film was carried out by current-voltage characteristic and the scanning electron microscope. The voltage at zero current in low electric field is the lowest at 0.3 % OTS treated SiO2 film with hybrid type. SiO2 films changed from inorganic to hybrid or organic properties according to the increa
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SiO2 사이에 1-5nm까지 1nm 차이로 증착하여 소자를 제작하고, 소자의 전기적 특성을 측정했습니다. 측정 결과 XX이 너무 얇으면 adhesion 문제가 해결이 되지 않았고, 너무 두꺼우면 오히려 저항이 커져 전기적 특성이 반응속도가 떨어졌습니다. 이
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Sio2/Si3N4) :2대, Sputter(Au,Cu,Cr,Al): 2대, Spin track(2대_Sub)
-. Wet Station(KOH,Al Etch,유기/무기/산) : 10대
-. Chip Bonder(1대) , Flip-Chip Bonder(2대) , Laser(2대)
-. Plating(Au,Cu,Ti) : 4대_Sub , Dicing saw (2대_Sub)
4) LED PKG 관련
-. Die Bonder(ASM 社) : 20대 , Wire Bonder (ASM
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