목차
1. 개요
2. 의의
3. 원리
2. 의의
3. 원리
본문내용
식 ⑸를 식 ⑷에 대입하면,
⑹
가 되고, 이를 정공에 대해서 풀면,
(다수 캐리어 정공농도) ⑺
를 얻을 수 있다. 다수 캐리어 정공농도는 전류와 자기장 그리고 Hall전압에 의하여 결정된다.
n형 반도체에 대하여 Hall 전압은
⑻
로 주어지므로 다수 캐리어 전자 농도는
(다수 캐리어 전자 농도) ⑼
여기서 Hall 전압은 n형 반도체에 대하여 음이므로 식 ⑼의 전자농도는 양의 값을 나타낸다.
⒟ 다수 캐리어 이동도(mobility)-
p형 반도체에 대해서,
% ⑽
이다. 전류밀도와 전계는 전류와 전압으로 변환할 수 있으므로 식 ⑽은
⑾
이 된다. 그러면 정공의 이동도는
(정공의 이동도) ⑿
이와 같이 n형 반도체에 대해서도 저전계 전자 이동도는 다음과 같이 결정된다.
(전자의 이동도) ⒀
⑹
가 되고, 이를 정공에 대해서 풀면,
(다수 캐리어 정공농도) ⑺
를 얻을 수 있다. 다수 캐리어 정공농도는 전류와 자기장 그리고 Hall전압에 의하여 결정된다.
n형 반도체에 대하여 Hall 전압은
⑻
로 주어지므로 다수 캐리어 전자 농도는
(다수 캐리어 전자 농도) ⑼
여기서 Hall 전압은 n형 반도체에 대하여 음이므로 식 ⑼의 전자농도는 양의 값을 나타낸다.
⒟ 다수 캐리어 이동도(mobility)-
p형 반도체에 대해서,
% ⑽
이다. 전류밀도와 전계는 전류와 전압으로 변환할 수 있으므로 식 ⑽은
⑾
이 된다. 그러면 정공의 이동도는
(정공의 이동도) ⑿
이와 같이 n형 반도체에 대해서도 저전계 전자 이동도는 다음과 같이 결정된다.
(전자의 이동도) ⒀
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