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전압을 mV로 나타낸 것으로 홀 전압과 비저항 등을 알 수 있다.
- RESULT에서는 MEASUREMENT DATA의 홀 전압을 바탕으로 하여 정해진 수식에 의해서 측정 샘플의 여러 가지 전기적 특성이 표시되게 된다.
참고 1: 주요 측정 계수 구하는 식
전기 저항율(
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홀 전압이라고 부른다.)를 구하면
VH = Eyd (1)
이고, 전하 q 에 미치는 전기력은 크기가
Fe = qEy (2)
이며, 자기력은 크기가
Fm = qvdB (3)
이므로 홀 효과에 의한 내부 전기마당은
Ey = vdB (4)
또, 홀 전압은
VH = vdBd (5)
가 된다. 홀 전압을 측정하고 자기마
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홀 전압(UH)를 측정하기 위해 Microvoltmeter와 반도체를 연결한다.
⑦ 자기장의 변화에 따른 홀 전압을 측정하기 위해 실험 장치를 구성한다. 이때 정확값을
Microvoltmeter의 Auto comp 버튼을 누르고 High current power supply에서 전류를
흘려주면서 시편의
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홀은 전자의 hopping에 이한 이동이며 degenaracy되어 있기 때문이다. 실험에서 자기장의 세기가 커질수록 홀 전압이 커짐을 볼 수 있는데 이것은 이론에서 홀 전도도가 자속밀도 B의 역수에 비례하는 것으로 해석할 수 있다.
Ⅵ. Conclusion
홀효과는
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이론
1. 물리 상황
≪ 그 림 ≫
홀효과를 실험하기 위한 물리적 상황은 위 그림과 같다. 금속이나 또는 반도체에 전류를 흘려 보내고 전류와 수직한 방향으로 자기장을 걸어준 뒤 자기장과 전류 모두와 수직한 방향의 전압을
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