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홀 전압의 정확한 인식이 중요하다. (반도체의 경우 이동도가 큰 GaAs뿐만 아니라 이동도가 작아 측정이 어려운 GaN의 측정이 가능하면 홀효과 측정 장비의 정도가 뛰어나다고 판단된다.)
캐리어의 농도(n, p) Bulk Concentration
= 1/ q RH
(q = 전하량 = 1
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홀 효과의 개념을 이해하고 n형 반도체와 p형 반도체의 홀 효과를 측정하고 홀 계수의 부호와 크기를 결정하고 케리어 농도를 결정하는 것이다.
홀 효과란 자기장에 놓여진 고체에 자기장과 수직인 전류가 흐를 때, 그 고체 내부에 횡단 방향
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전압을 전압계로 측정해 보는 것이다.
2. 로렌츠 힘
≪ 그 림 ≫
홀효과를 설명하기에 앞서 먼저 로렌츠 힘에 대해서 설명하면, 자기장 속으로 자기장 방향과 수직하게 전하를 가진 입자가 들어가게 되면 그 입자는 운동방향
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홀 전압이라고 부른다.)를 구하면
VH = Eyd (1)
이고, 전하 q 에 미치는 전기력은 크기가
Fe = qEy (2)
이며, 자기력은 크기가
Fm = qvdB (3)
이므로 홀 효과에 의한 내부 전기마당은
Ey = vdB (4)
또, 홀 전압은
VH = vdBd (5)
가 된다. 홀 전압을 측정하고 자기마
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측정되는 자기장 값을 측정한다.
2. 실험1과 마찬가지로 설치한 뒤, 좌측과 같이 Hall effect 장치를 설치한다. 자기장을 측정 할 때와 마찬가지로 전류를 1A 단위로 흘려주면서 홀 전압을 측정하면 된 다. 이번 측정에서도 10A 이상의 전류를 인가
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