홀 효과 예비레포트
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본문내용

r도 연결한다.
③탈 자기장을 만들기 위해 자기장 전류 공급 장치에 교류전압을 10A에서 서서히 전류를
0A로 만든다.(접지에 연결한다.)
④Tangentiale B-Sonde(자기장 센서)에 투과 하는 자기장 방향을 확인해 본다.
자석에서 자기장은 N극에서 S극 방향으로 형성 되므로 센서에 측정되는 값이 양(+)이면 왼쪽에서 오른쪽방향으로 측정된 것이고 음(-)이라면 반대방향임을 알 수있다.
⑤정확한 값을 측정하기 위해 자기장 센서(Tangentiale B-Sonde)에 작용하는 지구의 자기장을 영점 조정자로 0으로 만들어 준다.
⑥반도체 시편에 전류를 흘려보내기 위해서 High current power supply와 반도체 시편을 연결하고 반도체의 홀 전압(UH)를 측정하기 위해 Microvoltmeter와 반도체를 연결한다.
⑦ 자기장의 변화에 따른 홀 전압을 측정하기 위해 실험 장치를 구성한다. 이때 정확값을
Microvoltmeter의 Auto comp 버튼을 누르고 High current power supply에서 전류를
흘려주면서 시편의 윗부분에 있는 단자를 돌려서 가능한 한 0으로 맞춰준다. 이때는 Variable extra-low voltage transformer는 걸어 주지 않는다.
⑧이제 전류의 변화에 따른 자기장과 Hall Voltage를 동시에 측정한다. High current power supply값을 각각 15A와 20A로 하고 측정한 값을 기록한다.
⑨시료를 구리에서 아연으로 바꾸어 똑같은 방법으로 전류의 변화에 따른 자기장과 Hall Voltage를 동시에 측정한다.
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  • 페이지수5페이지
  • 등록일2010.01.14
  • 저작시기2008.10
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#574503
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