목차
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1. 다이오드란?
2. 다이오드의 원리
(1)바이어스
① 순방향 바이어스
② 역방향 바이어스와 항복현상
(2) 동작원리
(3) 특성곡선
1. 다이오드란?
2. 다이오드의 원리
(1)바이어스
① 순방향 바이어스
② 역방향 바이어스와 항복현상
(2) 동작원리
(3) 특성곡선
본문내용
향하는 전기장의 세기(Ef - Eo) 에 의한 드리프트 전류가 생성된다.
- 소수 캐리어는 Ef > Eo와 상관없이 전기장 Ef에 의해서 P형의 자유 전자는 왼쪽으로, N형의 정공은 오른쪽으로 이끌리어 전류로서 기여되지 못한다.
- 이때 전압Vf를 순방향 전압 또는 순접압, 전류 If를 순방향 전류 또는 순전류라 한다.
나) 역방향 전압을 가했을 경우(P형에 (-), N형에 (+) 전압을 가한 경우)
- P형 반도체에 (-), N형 반도체에 (+)전압을 가한다.
- 그 결과 반도체내에 공핍층에서의 전기장의 세기 Eo와 같은 방향의 전기장 Er이 발생된다.
- 반도체내의 전기장의 세기Er에 의해, 소수 캐리어가 P형의 자유 전자는 N형쪽으로, N형의 정공은 P형쪽으로 이끌리어 전류로서 기여된다. 하지만 그 크기는 극히 작다.
- 다수 캐리어는 전기장의 세기Er에 의해 P형의 정공은 왼쪽으로, N형의 자유 전자는 오른쪽으로 이끌리어 전류로서 기여되지 못한다.
- 이때 전압 Vr을 역방향 전압 또는 역전압, 전류 Ir을 역방향 전류 또는 역전류라 한다.
- 역방향 전압 Vr을 크게하면 항복 현상(breakdown)이 일어나 대전류가 흐른다
(3) 특성곡선
- 소수 캐리어는 Ef > Eo와 상관없이 전기장 Ef에 의해서 P형의 자유 전자는 왼쪽으로, N형의 정공은 오른쪽으로 이끌리어 전류로서 기여되지 못한다.
- 이때 전압Vf를 순방향 전압 또는 순접압, 전류 If를 순방향 전류 또는 순전류라 한다.
나) 역방향 전압을 가했을 경우(P형에 (-), N형에 (+) 전압을 가한 경우)
- P형 반도체에 (-), N형 반도체에 (+)전압을 가한다.
- 그 결과 반도체내에 공핍층에서의 전기장의 세기 Eo와 같은 방향의 전기장 Er이 발생된다.
- 반도체내의 전기장의 세기Er에 의해, 소수 캐리어가 P형의 자유 전자는 N형쪽으로, N형의 정공은 P형쪽으로 이끌리어 전류로서 기여된다. 하지만 그 크기는 극히 작다.
- 다수 캐리어는 전기장의 세기Er에 의해 P형의 정공은 왼쪽으로, N형의 자유 전자는 오른쪽으로 이끌리어 전류로서 기여되지 못한다.
- 이때 전압 Vr을 역방향 전압 또는 역전압, 전류 Ir을 역방향 전류 또는 역전류라 한다.
- 역방향 전압 Vr을 크게하면 항복 현상(breakdown)이 일어나 대전류가 흐른다
(3) 특성곡선
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